IRF6710S2TR1PBF,688-6734,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6710S2TR1PBF, 12 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET S1封装 ,Infineon
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6710S2TR1PBF, 12 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET S1封装

制造商零件编号：
IRF6710S2TR1PBF
库存编号：
688-6734
Infineon IRF6710S2TR1PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRF6710S2TR1PBF产品详细信息

DirectFET? 功率 MOSFET，Infineon

DirectFET? 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET? MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低，尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，仅 0.7mm

IRF6710S2TR1PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.85mm  
  尺寸  4.85 x 3.95 x 0.66mm  
  典型关断延迟时间  5.2 ns  
  典型接通延迟时间  7.9 ns  
  典型输入电容值@Vds  1190 pF @ 13 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.8 nC @ 4.5 V  
  封装类型  DirectFET S1  
  高度  0.66mm  
  宽度  3.95mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  7  
  最大功率耗散  1.8 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  6 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IRF6710S2TR1PBF相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF6710S2TR1PBF产品技术参数资料

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