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安装类型	通孔
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 2.4 x 6.2mm
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	310 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	12 nC @ 10 V
封装类型	IPAK
高度	6.2mm
晶体管配置	单
宽度	2.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh, SuperMESH
引脚数目	3
最大功率耗散	45 W
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	500 V
最大漏源电阻值	2.7 Ω
最大栅阈值电压	4.5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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• STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 Data Sheet