STP60N55F3,687-5349,STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STP60N55F3
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
STP60N55F3
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
687-5349
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP60N55F3产品详细信息
N 通道 STripFET? F3,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STP60N55F3产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 9.15mm
典型关断延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
典型输入电容值@Vds
2200 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs
33.5 nC V @ 10
封装类型
TO-220
高度
9.15mm
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET F3
引脚数目
3
最大功率耗散
110 W
最大连续漏极电流
80 A
最大漏源电压
55 V
最大漏源电阻值
0.009 Ω
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
STP60N55F3配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ABL Components 黑色 散热器 LS220, 17°C/W, 夹、螺丝安装, 30.2 x 30 x 13mm
制造商零件编号:
LS220
品牌:
ABL Components
库存编号:
234-2334
搜索
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制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
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安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
典型关断延迟时间 35 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 35 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 20 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
典型输入电容值@Vds 2200 pF V @ 25
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 2200 pF V @ 25
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2200 pF V @ 25
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2200 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs 33.5 nC V @ 10
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 33.5 nC V @ 10
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 33.5 nC V @ 10
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 33.5 nC V @ 10
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 9.15mm
STMicroelectronics 高度 9.15mm
MOSFET 晶体管 高度 9.15mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 9.15mm
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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系列 STripFET F3
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
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最大连续漏极电流 80 A
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最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 2V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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STP60N55F3产品技术参数资料
MOSFET N-ch 80A 55V STripFET TO220
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