STD12NF06LT4,687-5166,STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
STD12NF06LT4
库存编号：
687-5166
STMicroelectronics STD12NF06LT4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STD12NF06LT4产品详细信息

N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics

STripFET? MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STD12NF06LT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  350 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7.5 nC @ 5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET II  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  30000 mW  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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STD12NF06LT4产品技术参数资料

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