STN1HNK60,687-5131,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
STN1HNK60
库存编号:
687-5131
STMicroelectronics STN1HNK60
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STN1HNK60产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 3.5 x 1.8mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  6.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  156 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  3.3 W  
  最大连续漏极电流  400 mA  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  8.5 Ω  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.25V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STN1HNK60产品技术参数资料

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