STD25NF10LT4,687-5068,STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
STD25NF10LT4
库存编号：
687-5068
STMicroelectronics STD25NF10LT4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


数据正在加载中...

STD25NF10LT4产品详细信息

N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics

STripFET? MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STD25NF10LT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  58 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  1710 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  38 nC @ 5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET II  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  100 W  
  最大连续漏极电流  25 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  35 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

STD25NF10LT4相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  STMicroelectronics 长度 6.6mm  MOSFET 晶体管 长度 6.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm   典型关断延迟时间 58 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 58 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns   典型接通延迟时间 20 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns   典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1710 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 5 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 5 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 5 V   封装类型 DPAK  STMicroelectronics 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.4mm  STMicroelectronics 高度 2.4mm  MOSFET 晶体管 高度 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 2.4mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.2mm  STMicroelectronics 宽度 6.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET II  STMicroelectronics 系列 STripFET II  MOSFET 晶体管 系列 STripFET II  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET II   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 100 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 100 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 W   最大连续漏极电流 25 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 25 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A   最大漏源电压 100 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 35 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 35 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 35 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 35 mΩ   最大栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±16 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Cut TR (SOS) (Alt: STD25NF10LT4/BKN)

RoHS: Compliant

搜索
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD25NF10LT4)

RoHS: Compliant

搜索
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD25NF10LT4)

RoHS: Compliant

搜索
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD25NF10LT4)

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
STD25NF10LT4
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD25NF10LT4
[更多]		 National Semiconductor Corporation

25 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
STD25NF10LT4|STMICROELECTRONICSSTD25NF10LT4
STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET VDS 100V
PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
STD25NF10LT4|STMicroelectronicsSTD25NF10LT4
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
STD25NF10LT4|STMICROELECTRONICSSTD25NF10LT4
STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET VDS 100V
PDF下载 		查价格库存
查看详细
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STD25NF10LT4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
STD25NF10LT4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
687-5068
搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

STMicroelectronics - STD25NF10LT4 - MOSFET N-CH 100V 25A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak

型号：STD25NF10LT4
仓库库存编号：497-3156-1-ND
别名：497-3156-1 <br> 		无铅搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

STD25NF10LT4产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示