关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 2.3 x 6.1mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	350 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	10 nC @ 10 V
封装类型	IPAK
高度	6.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	QFET
引脚数目	3
最大功率耗散	2.5 W
最大连续漏极电流	3.4 A
最大漏源电压	400 V
最大漏源电阻值	1.6 Ω
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 6.6mm  Fairchild Semiconductor 长度 6.6mm  MOSFET 晶体管 长度 6.6mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 2.3 x 6.1mm   典型关断延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 350 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 350 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 350 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 350 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V   封装类型 IPAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 IPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK   高度 6.1mm  Fairchild Semiconductor 高度 6.1mm  MOSFET 晶体管 高度 6.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 6.1mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.3mm  Fairchild Semiconductor 宽度 2.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 2.3mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 QFET  Fairchild Semiconductor 系列 QFET  MOSFET 晶体管 系列 QFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 QFET   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2.5 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 3.4 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 3.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.4 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.4 A   最大漏源电压 400 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 400 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V   最大漏源电阻值 1.6 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 1.6 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.6 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.6 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  

• Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin IPAK