FQPF7N65C,671-5301,Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装

制造商零件编号：
FQPF7N65C
库存编号：
671-5301
Fairchild Semiconductor FQPF7N65C
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FQPF7N65C产品详细信息

QFET? N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET? 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

FQPF7N65C产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.16mm  
  尺寸  10.16 x 4.7 x 9.19mm  
  典型关断延迟时间  90 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  955 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  28 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220F  
  高度  9.19mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  QFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  52 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  1.4 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

FQPF7N65C配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

FQPF7N65C相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.16mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.16mm  MOSFET 晶体管 长度 10.16mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.16mm   尺寸 10.16 x 4.7 x 9.19mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.16 x 4.7 x 9.19mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.7 x 9.19mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.7 x 9.19mm   典型关断延迟时间 90 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 90 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 90 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 90 ns   典型接通延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns   典型输入电容值@Vds 955 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 955 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 955 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 955 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V   封装类型 TO-220F  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220F  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220F   高度 9.19mm  Fairchild Semiconductor 高度 9.19mm  MOSFET 晶体管 高度 9.19mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 9.19mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 QFET  Fairchild Semiconductor 系列 QFET  MOSFET 晶体管 系列 QFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 QFET   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 52 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 52 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 52 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 52 W   最大连续漏极电流 7 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7 A   最大漏源电压 650 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 1.4 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 1.4 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.4 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.4 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQPF7N65C产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号