FQA140N10,671-4907,Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA140N10, 140 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Fairchild Semiconductor
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
FQA140N10
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA140N10, 140 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
FQA140N10
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4907
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQA140N10产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.8mm
尺寸
15.8 x 5 x 18.9mm
典型关断延迟时间
350 ns
典型接通延迟时间
75 ns
典型输入电容值@Vds
6100 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
220 nC @ 10 V
封装类型
TO-3PN
高度
18.9mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
QFET
引脚数目
3
最大功率耗散
375000 mW
最大连续漏极电流
140 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
10 mΩ
最大栅源电压
±25 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
FQA140N10配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad 400 电子散热垫 SP400-0.007-00-122, 0.9W/m·K, 28.96 x 20.57mm, 0.178mm厚
制造商零件编号:
SP400-0.007-00-122
品牌:
Bergquist
库存编号:
283-3638
搜索
FQA140N10相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.8mm
Fairchild Semiconductor 长度 15.8mm
MOSFET 晶体管 长度 15.8mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 15.8mm
尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm
典型关断延迟时间 350 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 350 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 350 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 350 ns
典型接通延迟时间 75 ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 75 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 75 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 75 ns
典型输入电容值@Vds 6100 pF@ 25 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 6100 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6100 pF@ 25 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6100 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V
封装类型 TO-3PN
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-3PN
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN
高度 18.9mm
Fairchild Semiconductor 高度 18.9mm
MOSFET 晶体管 高度 18.9mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 18.9mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5mm
Fairchild Semiconductor 宽度 5mm
MOSFET 晶体管 宽度 5mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 QFET
Fairchild Semiconductor 系列 QFET
MOSFET 晶体管 系列 QFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 QFET
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 375000 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 375000 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375000 mW
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375000 mW
最大连续漏极电流 140 A
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 140 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 140 A
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 140 A
最大漏源电压 100 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 10 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 10 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ
最大栅源电压 ±25 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±25 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 2V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
FQA140N10产品技术参数资料
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin TO-3P
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号