FDP3672,671-4834,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3672, 5.9 A, Vds=105 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3672, 5.9 A, Vds=105 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
FDP3672
库存编号：
671-4834
Fairchild Semiconductor FDP3672
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDP3672产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor

FDP3672产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.4mm  
  典型关断延迟时间  24 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1670 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  28 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  135 W  
  最大连续漏极电流  5.9 A  
  最大漏源电压  105 V  
  最大漏源电阻值  33 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDP3672产品技术参数资料

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