2N7000,671-4733,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装

制造商零件编号：
2N7000
库存编号：
671-4733
Fairchild Semiconductor 2N7000
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

2N7000产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

2N7000产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5.2mm  
  尺寸  5.2 x 4.19 x 5.33mm  
  典型输入电容值@Vds  20 pF@ 25 V  
  封装类型  TO-92  
  高度  5.33mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.19mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  400 mW  
  最大连续漏极电流  200 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  5 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.8V  
关键词         

2N7000关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

2N7000相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 5.2mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.2mm  MOSFET 晶体管 长度 5.2mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.2mm   尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm   典型输入电容值@Vds 20 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 20 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 20 pF@ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 20 pF@ 25 V   封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92   高度 5.33mm  Fairchild Semiconductor 高度 5.33mm  MOSFET 晶体管 高度 5.33mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 5.33mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.19mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.19mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.19mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.19mm   类别 小信号  Fairchild Semiconductor 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 400 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 400 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 400 mW  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 400 mW   最大连续漏极电流 200 mA  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 200 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA   最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 5 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.8V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.8V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7000产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号