NDS352AP,671-1084,Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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NDS352AP
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
NDS352AP
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1084
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NDS352AP产品详细信息
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
NDS352AP产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.92mm
尺寸
2.92 x 1.4 x 0.94mm
典型关断延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 8 ns
典型输入电容值@Vds
135 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
2 nC @ 4.5 V
封装类型
SOT-23
高度
0.94mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
500 mW
最大连续漏极电流
900 mA
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
300 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.8V
关键词
NDS352AP相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.92mm
Fairchild Semiconductor 长度 2.92mm
MOSFET 晶体管 长度 2.92mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.92mm
尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
典型关断延迟时间 35 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 35 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
典型输入电容值@Vds 135 pF @ 15 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 135 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 135 pF @ 15 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 135 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
封装类型 SOT-23
Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 0.94mm
Fairchild Semiconductor 高度 0.94mm
MOSFET 晶体管 高度 0.94mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.94mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
Fairchild Semiconductor 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Fairchild Semiconductor 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 500 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 500 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW
最大连续漏极电流 900 mA
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 900 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 900 mA
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 900 mA
最大漏源电压 30 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 300 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 300 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.8V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.8V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V
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NDS352AP产品技术参数资料
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3- SuperSOT
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新加坡2号品牌选型
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