NDS0605,671-1071,Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS0605, 180 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS0605, 180 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
NDS0605
库存编号：
671-1071
Fairchild Semiconductor NDS0605
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

NDS0605产品详细信息

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

NDS0605产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.92mm  
  尺寸  2.92 x 1.3 x 0.93mm  
  典型关断延迟时间  10 ns  
  典型接通延迟时间  2.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  79 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.8 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.93mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  360 mW  
  最大连续漏极电流  180 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  5 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NDS0605产品技术参数资料

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