FQD12N20LTM,671-0942,Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD12N20LTM, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD12N20LTM, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
FQD12N20LTM
库存编号：
671-0942
Fairchild Semiconductor FQD12N20LTM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FQD12N20LTM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.1 x 2.3mm  
  典型关断延迟时间  60 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  830 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  16 nC @ 5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  QFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  280 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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FQD12N20LTM配套附件

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FQD12N20LTM相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQD12N20LTM产品技术参数资料

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