FQB22P10TM,671-0879,Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FQB22P10TM
库存编号：
671-0879
Fairchild Semiconductor FQB22P10TM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FQB22P10TM产品详细信息

汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

FQB22P10TM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  60 ns  
  典型接通延迟时间  17 ns  
  典型输入电容值@Vds  1170 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  40 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  3750 mW  
  最大连续漏极电流  22 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FQB22P10TM配套附件

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQB22P10TM产品技术参数资料

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