FQB27P06TM,671-0873,Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FQB27P06TM
库存编号：
671-0873
Fairchild Semiconductor FQB27P06TM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FQB27P06TM产品详细信息

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

FQB27P06TM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  1100 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  33 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  3750 mW  
  最大连续漏极电流  27 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  70 mΩ  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FQB27P06TM配套附件

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FQB27P06TM相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQB27P06TM产品技术参数资料

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