FDS6990AS,671-0671,Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990AS, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990AS, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
FDS6990AS
库存编号：
671-0671
Fairchild Semiconductor FDS6990AS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDS6990AS产品详细信息

PowerTrench? SyncFET? 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术，RDS（接通）极低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主体二极管
应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关

FDS6990AS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  14 ns, 24 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns, 9 ns  
  典型输入电容值@Vds  550 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench, SyncFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1600 mW  
  最大连续漏极电流  7.5 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  22 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Fairchild Semiconductor 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 14 ns, 24 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 14 ns, 24 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns, 24 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns, 24 ns   典型接通延迟时间 8 ns, 9 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 8 ns, 9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns, 9 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns, 9 ns   典型输入电容值@Vds 550 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V   封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 4mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench, SyncFET  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench, SyncFET  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1600 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1600 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1600 mW  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1600 mW   最大连续漏极电流 7.5 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 7.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.5 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.5 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 22 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 22 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 22 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 22 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

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FDS6990AS
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MOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8

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Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

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30V,NCH,DUAL,SO8,POWER TRENCH

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FDS6990AS
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation

7500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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Fairchild/ON Semiconductor - FDS6990AS - MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO

型号：FDS6990AS
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FDS6990AS
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6990AS		1504994

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V

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Fairchild Semiconductor - FDS6990AS - Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990AS, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
FDS6990AS
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
671-0671
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FDS6990AS|FAIRCHILDFDS6990AS
FAIRCHILD		FDS6990AS 系列 N 沟道 30 V 22 mOhm 双 PowerTrench SyncFET - SOIC-8
Rohs

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FDS6990AS|FAIRCHILDFDS6990AS
FAIRCHILD		FDS6990AS 系列 N 沟道 30 V 22 mOhm 双 PowerTrench SyncFET - SOIC-8
Rohs

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Fairchild Semiconductor		MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
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Fairchild Semiconductor		MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
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FDS6990AS产品技术参数资料

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