FDS4897C,671-0539,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4897C, 4.4 A,6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4897C, 4.4 A,6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
FDS4897C
库存编号:
671-0539
Fairchild Semiconductor FDS4897C
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDS4897C产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  23 ns, 45 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns,12 ns  
  典型输入电容值@Vds  760 pF@ 20 V, 1050 pF@ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 10 V,20 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2000 mW  
  最大连续漏极电流  4.4 A,6.2 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  29 mΩ,46 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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FDS4897C产品技术参数资料

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