FDMC2610,671-0380,Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2610, 2.2 A, Vds=200 V, 8引脚 MLP封装 ,Fairchild Semiconductor
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FDMC2610
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2610, 2.2 A, Vds=200 V, 8引脚 MLP封装
制造商零件编号:
FDMC2610
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0380
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDMC2610产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 3 x 0.95mm
典型关断延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
17 ns
典型输入电容值@Vds
720 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
12.3 nC @ 10 V
封装类型
MLP
高度
0.95mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
UltraFET
引脚数目
8
最大功率耗散
2.1 W
最大连续漏极电流
2.2 A
最大漏源电压
200 V
最大漏源电阻值
200 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
FDMC2610相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
Fairchild Semiconductor 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 3 x 0.95mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 3 x 3 x 0.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.95mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.95mm
典型关断延迟时间 29 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 29 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 17 ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 17 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
典型输入电容值@Vds 720 pF @ 100 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 720 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 720 pF @ 100 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 720 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V
封装类型 MLP
Fairchild Semiconductor 封装类型 MLP
MOSFET 晶体管 封装类型 MLP
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 MLP
高度 0.95mm
Fairchild Semiconductor 高度 0.95mm
MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3mm
Fairchild Semiconductor 宽度 3mm
MOSFET 晶体管 宽度 3mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 UltraFET
Fairchild Semiconductor 系列 UltraFET
MOSFET 晶体管 系列 UltraFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 UltraFET
引脚数目 8
Fairchild Semiconductor 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 2.1 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2.1 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W
最大连续漏极电流 2.2 A
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 2.2 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.2 A
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.2 A
最大漏源电压 200 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 200 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V
最大漏源电阻值 200 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 200 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 200 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 200 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 2V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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FDMC2610产品技术参数资料
FDMC2610, N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V 9.5A
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