FDM3622,671-0371,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装

制造商零件编号：
FDM3622
库存编号：
671-0371
Fairchild Semiconductor FDM3622
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDM3622产品详细信息

UltraFET? MOSFET，Fairchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

FDM3622产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 2 x 0.95mm  
  典型关断延迟时间  35 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  820 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 33  
  高度  0.95mm  
  宽度  2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2100 mW  
  最大连续漏极电流  4.4 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  60 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
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FDM3622产品技术参数资料

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