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安装类型	表面贴装
长度	4.9mm
尺寸	4.9 x 3.91 x 1.58mm
典型关断延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	4.5 ns
典型栅极电荷@Vgs	5.45 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.58mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	3.91mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	840 mW
最大连续漏极电流	1.17 A
最大漏源电压	15 V
最大漏源电阻值	400 mΩ
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	-15 V, 2 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+125 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Texas Instruments 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm  Texas Instruments 尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm   典型关断延迟时间 13 ns  Texas Instruments 典型关断延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns   典型接通延迟时间 4.5 ns  Texas Instruments 典型接通延迟时间 4.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns   典型栅极电荷@Vgs 5.45 nC @ 10 V  Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 5.45 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.45 nC @ 10 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.45 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  Texas Instruments 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.58mm  Texas Instruments 高度 1.58mm  MOSFET 晶体管 高度 1.58mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 1.58mm   晶体管材料 Si  Texas Instruments 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Texas Instruments 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 3.91mm  Texas Instruments 宽度 3.91mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.91mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 3.91mm   类别 小信号  Texas Instruments 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Texas Instruments MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 2  Texas Instruments 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  Texas Instruments 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Texas Instruments 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Texas Instruments 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 840 mW  Texas Instruments 最大功率耗散 840 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 840 mW  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 840 mW   最大连续漏极电流 1.17 A  Texas Instruments 最大连续漏极电流 1.17 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.17 A  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.17 A   最大漏源电压 15 V  Texas Instruments 最大漏源电压 15 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 15 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 15 V   最大漏源电阻值 400 mΩ  Texas Instruments 最大漏源电阻值 400 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ   最大栅阈值电压 1.5V  Texas Instruments 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 -15 V, 2 V  Texas Instruments 最大栅源电压 -15 V, 2 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -15 V, 2 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -15 V, 2 V   最低工作温度 -40 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +125 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +125 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C   最小栅阈值电压 1V  Texas Instruments 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V