IRF9910PBF,650-4233,Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF9910PBF, 10 A,12 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF9910PBF, 10 A,12 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF9910PBF
库存编号:
650-4233
Infineon IRF9910PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF9910PBF产品详细信息

双 N 通道功率 MOSFET,Infineon

Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET? 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N 通道配置。

IRF9910PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  9.2 ns, 15 ns  
  典型接通延迟时间  6.3 (Q1) ns, 8.3 (Q2) ns  
  典型输入电容值@Vds  900 pF@ 10 V, 1860 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 4.5 V,7.4 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2000 mW  
  最大连续漏极电流  10 A,12 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  9 mΩ,13 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.55V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.65V  
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IRF9910PBF产品技术参数资料

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