IRF9540NSPBF,650-4198,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9540NSPBF, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9540NSPBF, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRF9540NSPBF
库存编号：
650-4198
Infineon IRF9540NSPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IRF9540NSPBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF9540NSPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  51 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  1300 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  97 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  3800 mW  
  最大连续漏极电流  23 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  117 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRF9540NSPBF配套附件

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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 51 ns  Infineon 典型关断延迟时间 51 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 51 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 51 ns   典型接通延迟时间 15 ns  Infineon 典型接通延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns   典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  Infineon 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Infineon 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Infineon 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 3800 mW  Infineon 最大功率耗散 3800 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3800 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3800 mW   最大连续漏极电流 23 A  Infineon 最大连续漏极电流 23 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 117 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 117 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 117 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 117 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
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IRF9540NSPBF
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MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF9540NSPBF
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MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC

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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF9540NSPBF)

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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF9540NSPBF)

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Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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MOSFET, P, D2-PAK

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Single P-Channel 100 V 117 mOhm 73 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -100V, RDS(ON) 0.117Ohm, ID -23A, D2Pak, PD 140W, VGS +/-20V

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 140 W

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, -100V, -23A, 3.8W, D2PAK, HEXFET?

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型号 制造商 描述 操作
IRF9540NSPBF
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23 A, 100 V, 0.117 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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Infineon - IRF9540NSPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9540NSPBF, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRF9540NSPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
650-4198
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Infineon - IRF9540NSPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9540NSPBF, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRF9540NSPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
913-3938
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IRF9540NSPBF|International RectifierIRF9540NSPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
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IRF9540NSPBF|International RectifierIRF9540NSPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
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IRF9540NSPBF|International RectifierIRF9540NSPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
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IR - IRF9540NSPBF - MOSFET P, -100 V -23 A 140 W D2PAK, IRF9540NSPBF, IR		IR
MOSFET P, -100 V -23 A 140 W D2PAK, IRF9540NSPBF, IR

型号：IRF9540NSPBF
仓库库存编号：171-16-403

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF9540NSPBF产品技术参数资料

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