BLF248,112,626-3049,NXP 双 N沟道 MOSFET 晶体管 BLF248,112, 25 A, Vds=65 V, 5引脚 CDFM封装 ,NXP
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BLF248,112
NXP 双 N沟道 MOSFET 晶体管 BLF248,112, 25 A, Vds=65 V, 5引脚 CDFM封装
制造商零件编号:
BLF248,112
制造商:
NXP
NXP
库存编号:
626-3049
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BLF248,112产品详细信息
射频 MOSFET 晶体管,NXP semiconductors
BLF248,112产品技术参数
安装类型
螺丝安装
长度
34.17mm
尺寸
34.17 x 10.29 x 5.77mm
典型功率增益
13 dB
典型输入电容值@Vds
500 pF @ 28 V
封装类型
CDFM
高度
5.77mm
宽度
10.29mm
类别
射频 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
5
最大功率耗散
500 W
最大连续漏极电流
25 A
最大漏源电压
65 V
最大漏源电阻值
150 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
BLF248,112相关搜索
安装类型 螺丝安装
NXP 安装类型 螺丝安装
MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装
NXP MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装
长度 34.17mm
NXP 长度 34.17mm
MOSFET 晶体管 长度 34.17mm
NXP MOSFET 晶体管 长度 34.17mm
尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm
NXP 尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm
MOSFET 晶体管 尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm
NXP MOSFET 晶体管 尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm
典型功率增益 13 dB
NXP 典型功率增益 13 dB
MOSFET 晶体管 典型功率增益 13 dB
NXP MOSFET 晶体管 典型功率增益 13 dB
典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V
NXP 典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V
NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V
封装类型 CDFM
NXP 封装类型 CDFM
MOSFET 晶体管 封装类型 CDFM
NXP MOSFET 晶体管 封装类型 CDFM
高度 5.77mm
NXP 高度 5.77mm
MOSFET 晶体管 高度 5.77mm
NXP MOSFET 晶体管 高度 5.77mm
宽度 10.29mm
NXP 宽度 10.29mm
MOSFET 晶体管 宽度 10.29mm
NXP MOSFET 晶体管 宽度 10.29mm
类别 射频 MOSFET
NXP 类别 射频 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
每片芯片元件数目 2
NXP 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
NXP 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
NXP 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 5
NXP 引脚数目 5
MOSFET 晶体管 引脚数目 5
NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 5
最大功率耗散 500 W
NXP 最大功率耗散 500 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 W
NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 W
最大连续漏极电流 25 A
NXP 最大连续漏极电流 25 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A
NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A
最大漏源电压 65 V
NXP 最大漏源电压 65 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V
NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V
最大漏源电阻值 150 mΩ
NXP 最大漏源电阻值 150 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ
NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
NXP 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -65 °C
NXP 最低工作温度 -65 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C
NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
NXP 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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BLF248,112产品技术参数资料
BLF248 VHF push-pull power MOS transistor Data sheet
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