BLF248,112,626-3049,NXP 双 N沟道 MOSFET 晶体管 BLF248,112, 25 A, Vds=65 V, 5引脚 CDFM封装 ,NXP
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

NXP 双 N沟道 MOSFET 晶体管 BLF248,112, 25 A, Vds=65 V, 5引脚 CDFM封装

制造商零件编号:
BLF248,112
制造商:
NXP NXP
库存编号:
626-3049
NXP BLF248,112
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BLF248,112产品详细信息

射频 MOSFET 晶体管,NXP semiconductors

BLF248,112产品技术参数

  安装类型  螺丝安装  
  长度  34.17mm  
  尺寸  34.17 x 10.29 x 5.77mm  
  典型功率增益  13 dB  
  典型输入电容值@Vds  500 pF @ 28 V  
  封装类型  CDFM  
  高度  5.77mm  
  宽度  10.29mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  5  
  最大功率耗散  500 W  
  最大连续漏极电流  25 A  
  最大漏源电压  65 V  
  最大漏源电阻值  150 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

BLF248,112相关搜索

安装类型 螺丝安装  NXP 安装类型 螺丝安装  MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装   长度 34.17mm  NXP 长度 34.17mm  MOSFET 晶体管 长度 34.17mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 34.17mm   尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm  NXP 尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm  MOSFET 晶体管 尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 34.17 x 10.29 x 5.77mm   典型功率增益 13 dB  NXP 典型功率增益 13 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 13 dB  NXP MOSFET 晶体管 典型功率增益 13 dB   典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V  NXP 典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 500 pF @ 28 V   封装类型 CDFM  NXP 封装类型 CDFM  MOSFET 晶体管 封装类型 CDFM  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 CDFM   高度 5.77mm  NXP 高度 5.77mm  MOSFET 晶体管 高度 5.77mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 5.77mm   宽度 10.29mm  NXP 宽度 10.29mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.29mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 10.29mm   类别 射频 MOSFET  NXP 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 2  NXP 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 5  NXP 引脚数目 5  MOSFET 晶体管 引脚数目 5  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 5   最大功率耗散 500 W  NXP 最大功率耗散 500 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 W  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 W   最大连续漏极电流 25 A  NXP 最大连续漏极电流 25 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A   最大漏源电压 65 V  NXP 最大漏源电压 65 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V   最大漏源电阻值 150 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 150 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  NXP 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BLF248,112产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号