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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1mm
典型功率增益	25 dB
典型输入电容值@Vds	1.2 pF@ 15 V, 2.3 pF@ 15 V
封装类型	SOT-143
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	4
最大功率耗散	200 mW
最大连续漏极电流	30 mA
最大漏源电压	20 V
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±6 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  NXP 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.4 x 1mm  NXP 尺寸 3 x 1.4 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm   典型功率增益 25 dB  NXP 典型功率增益 25 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 25 dB  NXP MOSFET 晶体管 典型功率增益 25 dB   典型输入电容值@Vds 1.2 pF@ 15 V, 2.3 pF@ 15 V  NXP 典型输入电容值@Vds 1.2 pF@ 15 V, 2.3 pF@ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1.2 pF@ 15 V, 2.3 pF@ 15 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1.2 pF@ 15 V, 2.3 pF@ 15 V   封装类型 SOT-143  NXP 封装类型 SOT-143  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-143  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-143   高度 1mm  NXP 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  NXP 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 射频 MOSFET  NXP 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 消耗  NXP 通道模式 消耗  MOSFET 晶体管 通道模式 消耗  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 消耗   引脚数目 4  NXP 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 200 mW  NXP 最大功率耗散 200 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大连续漏极电流 30 mA  NXP 最大连续漏极电流 30 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA   最大漏源电压 20 V  NXP 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大栅阈值电压 2.5V  NXP 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±6 V  NXP 最大栅源电压 ±6 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±6 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±6 V   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• BF996S N-channel dual-gate MOS-FET Data Sheet