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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 1mm
典型输入电容值@Vds	1.8 pF@ 8 V, 3.1 pF@ 8 V
封装类型	CMPAK
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.35mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	4
最大功率耗散	300 mW
最大连续漏极电流	40 mA
最大漏源电压	12 V
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	8 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• BF908WR N-channel dual-gate MOS-FET Data Sheet