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安装类型	表面贴装
长度	1.7mm
尺寸	1.7 x 1.3 x 0.6mm
典型功率增益	36 dB，37 dB
典型输入电容值@Vds	2 pF @ 5 V，2.2 pF @ 5 V，3 pF @ 5 V，3.4 pF @ 5 V
封装类型	SOT-666
高度	0.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	共源
宽度	1.3mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	180 mW
最大连续漏极电流	30 mA
最大漏源电压	6 V
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	6 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.3V
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.7mm  NXP 长度 1.7mm  MOSFET 晶体管 长度 1.7mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 1.7mm   尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  NXP 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm   典型功率增益 36 dB，37 dB  NXP 典型功率增益 36 dB，37 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 36 dB，37 dB  NXP MOSFET 晶体管 典型功率增益 36 dB，37 dB   典型输入电容值@Vds 2 pF @ 5 V，2.2 pF @ 5 V，3 pF @ 5 V，3.4 pF @ 5 V  NXP 典型输入电容值@Vds 2 pF @ 5 V，2.2 pF @ 5 V，3 pF @ 5 V，3.4 pF @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2 pF @ 5 V，2.2 pF @ 5 V，3 pF @ 5 V，3.4 pF @ 5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2 pF @ 5 V，2.2 pF @ 5 V，3 pF @ 5 V，3.4 pF @ 5 V   封装类型 SOT-666  NXP 封装类型 SOT-666  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-666  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-666   高度 0.6mm  NXP 高度 0.6mm  MOSFET 晶体管 高度 0.6mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 0.6mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 共源  NXP 晶体管配置 共源  MOSFET 晶体管 晶体管配置 共源  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 共源   宽度 1.3mm  NXP 宽度 1.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm   类别 射频 MOSFET  NXP 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 2  NXP 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  NXP 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 180 mW  NXP 最大功率耗散 180 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 180 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 180 mW   最大连续漏极电流 30 mA  NXP 最大连续漏极电流 30 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA   最大漏源电压 6 V  NXP 最大漏源电压 6 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 6 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 6 V   最大栅阈值电压 1V  NXP 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 6 V  NXP 最大栅源电压 6 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 6 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 6 V   最低工作温度 -65 °C  NXP 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.3V  NXP 最小栅阈值电压 0.3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.3V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.3V  

• BF1208 Dual N-channel dual gate MOSFET Data Sheet