TPC8017-H(Q),601-5418,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPC8017-H(Q), 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装 ,Toshiba
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TPC8017-H(Q)
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPC8017-H(Q), 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
制造商零件编号:
TPC8017-H(Q)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
601-5418
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TPC8017-H(Q)产品详细信息
MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba
TPC8017-H(Q)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4.4 x 1.5mm
典型输入电容值@Vds
1465 pF V @ 10
典型栅极电荷@Vgs
14 nC V @ 5, 25 nC V @ 10
封装类型
SOP
高度
1.5mm
宽度
4.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
1900 mW
最大连续漏极电流
15 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
0.007 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
TPC8017-H(Q)相关搜索
安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Toshiba 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 4.4 x 1.5mm
Toshiba 尺寸 5 x 4.4 x 1.5mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.4 x 1.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.4 x 1.5mm
典型输入电容值@Vds 1465 pF V @ 10
Toshiba 典型输入电容值@Vds 1465 pF V @ 10
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1465 pF V @ 10
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1465 pF V @ 10
典型栅极电荷@Vgs 14 nC V @ 5, 25 nC V @ 10
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 14 nC V @ 5, 25 nC V @ 10
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC V @ 5, 25 nC V @ 10
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC V @ 5, 25 nC V @ 10
封装类型 SOP
Toshiba 封装类型 SOP
MOSFET 晶体管 封装类型 SOP
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 SOP
高度 1.5mm
Toshiba 高度 1.5mm
MOSFET 晶体管 高度 1.5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 1.5mm
宽度 4.4mm
Toshiba 宽度 4.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.4mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.4mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 8
Toshiba 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 1900 mW
Toshiba 最大功率耗散 1900 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1900 mW
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1900 mW
最大连续漏极电流 15 A
Toshiba 最大连续漏极电流 15 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15 A
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15 A
最大漏源电压 30 V
Toshiba 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 0.007 Ω
Toshiba 最大漏源电阻值 0.007 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.007 Ω
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.007 Ω
最大栅源电压 ±20 V
Toshiba 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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