2SK3845(Q),601-2188,Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3845(Q), 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3845(Q), 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
2SK3845(Q)
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
601-2188
Toshiba 2SK3845(Q)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

2SK3845(Q)产品详细信息

MOSFET N 通道，2SK 系列，Toshiba

2SK3845(Q)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 4.8 x 19mm  
  典型输入电容值@Vds  12400 pF V @ 10  
  典型栅极电荷@Vgs  196 nC V @ 10  
  封装类型  TO-3P W，TO-3PN  
  高度  19mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.8mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  2SK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  125000 mW  
  最大连续漏极电流  70 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.006 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2SK3845(Q)产品技术参数资料

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