IRF7342D2PBF,543-1954,Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装 ,International Rectifier
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7342D2PBF
库存编号:
543-1954
International Rectifier IRF7342D2PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF7342D2PBF产品详细信息

FETKY? IRF73xx / IRF74xx / IRF75xx / IRF78xx,Infineon

HEXFET 与肖特基二极管于同一个封装内
适用于同步调节器应用
低 VF 肖特基整流器
显著节省板空间
缩短设计时间,削减装配成本和库存成本

IRF7342D2PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  43 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  690 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  26 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  3.4 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  105 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7342D2PBF产品技术参数资料

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