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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	14 ns
典型输入电容值@Vds	690 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	26 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	3.4 A
最大漏源电压	55 V
最大漏源电阻值	105 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  International Rectifier 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  International Rectifier 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 43 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 43 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns   典型接通延迟时间 14 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 690 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 690 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 690 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 690 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  International Rectifier 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  International Rectifier 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   宽度 4mm  International Rectifier 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  International Rectifier 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  International Rectifier 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2 W  International Rectifier 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 3.4 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 3.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.4 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.4 A   最大漏源电压 55 V  International Rectifier 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 105 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 105 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 105 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 105 mΩ   最大栅阈值电压 1V  International Rectifier 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  International Rectifier 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  International Rectifier 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• IRF7342D2PBF Data Sheet