IRFIB5N65APBF,543-1134,Vishay N沟道 Si MOSFET IRFIB5N65APBF, 5.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Vishay
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IRFIB5N65APBF
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFIB5N65APBF, 5.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号:
IRFIB5N65APBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
543-1134
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFIB5N65APBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor
IRFIB5N65APBF产品技术参数
安装类型
通孔
典型关断延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
14 ns
典型输入电容值@Vds
1417 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
48 nC @ 10 V
封装类型
TO-220FP
高度
9.8mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
60 W
最大连续漏极电流
5.1 A
最大漏源电压
650 V
最大漏源电阻值
930 mΩ
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFIB5N65APBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Hi-Flow 650P 自粘 电子散热垫 HF650P-0.001-01-00-54, 1.5W/m·K, 0.001in厚
制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4881
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IRFIB5N65APBF相关搜索
安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
典型关断延迟时间 34 ns
Vishay 典型关断延迟时间 34 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 14 ns
Vishay 典型接通延迟时间 14 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
典型输入电容值@Vds 1417 pF @ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 1417 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1417 pF @ 25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1417 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
封装类型 TO-220FP
Vishay 封装类型 TO-220FP
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
高度 9.8mm
Vishay 高度 9.8mm
MOSFET 晶体管 高度 9.8mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 9.8mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 60 W
Vishay 最大功率耗散 60 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W
Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W
最大连续漏极电流 5.1 A
Vishay 最大连续漏极电流 5.1 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.1 A
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.1 A
最大漏源电压 650 V
Vishay 最大漏源电压 650 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V
最大漏源电阻值 930 mΩ
Vishay 最大漏源电阻值 930 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 930 mΩ
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 930 mΩ
最大栅源电压 ±30 V
Vishay 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
Vishay 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRFIB5N65APBF产品技术参数资料
IRFIB5N65APBF Data Sheet
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