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安装类型	通孔
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 2.39 x 6.22mm
典型关断延迟时间	37 ns
典型接通延迟时间	6.4 ns
典型输入电容值@Vds	640 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	44 nC @ 10 V
封装类型	TO-251
高度	6.22mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.39mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	3
最大功率耗散	79 W
最大连续漏极电流	16 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	115 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm  Infineon 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm   典型关断延迟时间 37 ns  Infineon 典型关断延迟时间 37 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 37 ns   典型接通延迟时间 6.4 ns  Infineon 典型接通延迟时间 6.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.4 ns   典型输入电容值@Vds 640 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 640 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 640 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 640 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V   封装类型 TO-251  Infineon 封装类型 TO-251  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-251  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-251   高度 6.22mm  Infineon 高度 6.22mm  MOSFET 晶体管 高度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 6.22mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.39mm  Infineon 宽度 2.39mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.39mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 2.39mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 79 W  Infineon 最大功率耗散 79 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 79 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 79 W   最大连续漏极电流 16 A  Infineon 最大连续漏极电流 16 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 115 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 115 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 115 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 115 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

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