IRFD9024PBF,541-0547,Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRFD9024PBF
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
541-0547
Vishay IRFD9024PBF
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IRFD9024PBF
库存编号:IRFD9024PBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP0
2500起订
2500+
¥8.75
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IRFD9024PBF
库存编号:IRFD9024PBF
Vishay Intertechnologies Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.6 A, 280 MilliOhms, HVMDIP, 4 Pins, Through Hole - Bulk (Alt: IRFD9024PBF)1358
1起订
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IRFD9024PBF
库存编号:9103228
Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, DIL0
1起订
1+
10+
100+
500+
1000+
¥17.6
¥15.89
¥15.77
¥12.22
¥10.51
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IRFD9024PBF
库存编号:IRFD9024PBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET0
2500起订
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IRFD9024PBF
库存编号:IRFD9024PBF
Vishay Intertechnologies Transistor: P-MOSFET, unipolar, -60V, -1.1A, 1.3W, DIP42027
1起订
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10+
50+
100+
500+
1000+
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IRFD9024PBF Vishay Siliconix TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,1.6A I(D),TO-250VAR480
1起订
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54+
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74+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)
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IRFD9024PBF
库存编号:9194491
Vishay Intertechnologies MOSFET P-Channel 60V 1.6A HVMDIP4, TU805
100起订
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IRFD9024PBF
库存编号:5410547P
Vishay Intertechnologies MOSFET P-Channel 60V 1.6A HVMDIP4, TU805
10起订
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IRFD9024PBF产品详细信息

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor

IRFD9024PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 6.29 x 3.37mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  570 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 10 V  
  封装类型  HVMDIP  
  高度  3.37mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.29mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  1.3 W  
  最大连续漏极电流  1.6 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  280 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFD9024PBF相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 5mm  Vishay 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm   典型关断延迟时间 15 ns  Vishay 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Vishay 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 570 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 570 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 570 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 570 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V   封装类型 HVMDIP  Vishay 封装类型 HVMDIP  MOSFET 晶体管 封装类型 HVMDIP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 HVMDIP   高度 3.37mm  Vishay 高度 3.37mm  MOSFET 晶体管 高度 3.37mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 3.37mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.29mm  Vishay 宽度 6.29mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.29mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Vishay 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 1.3 W  Vishay 最大功率耗散 1.3 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.3 W   最大连续漏极电流 1.6 A  Vishay 最大连续漏极电流 1.6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.6 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.6 A   最大漏源电压 60 V  Vishay 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 280 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 280 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 280 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 280 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRFD9024PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD9024PBF)

RoHS: Not Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, P, DIL

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型号 制造商 描述 操作
IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFD9024PBF
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Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -60V, RDS(ON) 0.28Ohm, ID -1.6A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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IRFD9024PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD9024PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFD9024PBF.
VISHAY IRFD9024PBF.
9103228

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

(EN)
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IRFD9024PBF|VISHAYIRFD9024PBF
VISHAY
单 P 沟道 60 V 0.28 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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IRFD9024PBF|Vishay SiliconixIRFD9024PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
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Vishay - IRFD9024PBF - MOSFET P, -60 V -1.6 A 1.3 W HEXDIP, IRFD9024PBF, Vishay
Vishay
MOSFET P, -60 V -1.6 A 1.3 W HEXDIP, IRFD9024PBF, Vishay


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:171-15-243

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Vishay Siliconix - IRFD9024PBF - MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

详细描述:通孔 P 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:IRFD9024PBF-ND
别名:*IRFD9024PBF <br>

无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFD9024PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0547
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Vishay - IRFD9024PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装

制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4491
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Vishay PCS - IRFD9024PBF - VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID -1.6A RDS(ON) 0.28Ohm VDSS -60V P-Ch MOSFET, Power|70078898 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 0.28Ohm; ID -1.6A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:70078898

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Siliconix / Vishay - IRFD9024PBF - MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP|70459448 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:70459448

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Vishay PCS - IRFD9024PBF - VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID -1.6A RDS(ON) 0.28Ohm VDSS -60V P-Ch MOSFET, Power|70078898 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 0.28Ohm; ID -1.6A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V


型号:IRFD9024PBF
仓库库存编号:70078898

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无图IRFD9024PBF
VISHAY
单 P 沟道 60 V 0.28 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
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IRFD9024PBF|Vishay SemiconductorsIRFD9024PBF
Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
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IRFD9024PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFD9024PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET P DIL
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IRFD9024PBF产品技术参数资料

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