IRF640PBF,541-0452,Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRF640PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
541-0452
Vishay IRF640PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF640PBF
库存编号:IRF640PBF-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB1135
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50+
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￥27.66
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IRF640PBF-BE3
库存编号:742-IRF640PBF-BE3-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB92
1起订		1+
50+
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￥15.44
￥26.16
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF640PBF-BE3
库存编号:78-IRF640PBF-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET5298
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500+
1000+
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IRF640PBF
库存编号:844-IRF640PBF		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET2826
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF640PBF
库存编号:IRF640PBF		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 200V - Bulk (Alt: IRF640PBF)21765
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IRF640PBF-BE3
库存编号:IRF640PBF-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 200V - Rail/Tube (Alt: IRF640PBF-BE3)1000
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1100+
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IRF640PBF
库存编号:63J7355		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 200V - Bulk (Alt: 63J7355)0
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1-2周询价 询价
IRF640PBF-BE3
库存编号:78AH6378		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 200V - Bulk (Alt: 78AH6378)0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF640PBF
库存编号:87630602		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
17起订		17+
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1-2周询价 询价
IRF640PBF
库存编号:85918099		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
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2000+
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4000+
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1-2周询价 询价
IRF640PBF
库存编号:84365592		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
50起订		50+
￥17.04
1-2周询价 询价
IRF640PBF-BE3
库存编号:82745624		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
750起订		750+
1000+
2000+
￥9.88
￥9.32
￥9.06
1-2周询价 询价
IRF640PBF
库存编号:64028436		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
10起订		10+
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￥10.3
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￥9.58
￥9.48
￥9.41
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF640PBF
库存编号:8648395		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, TO-220 200V 18A14586
1起订		1+
10+
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IRF640PBF-BE3
库存编号:3729189		 Vishay Intertechnologies 2022-08-31 07:44:40.700000000427
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10+
100+
500+
1000+
￥23.83
￥16.13
￥15.77
￥15.28
￥14.91
1-2周购买 购买
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  美国6号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF640PBF-BE3
库存编号:IRF640PBF-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET0
50起订		50+
100+
500+
750+
1000+
2000+
5000+
￥16.9
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￥12.09
￥11.95
￥11.13
￥10.72
￥10.44
1-3周询价 询价
IRF640PBF
库存编号:IRF640PBF		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET0
100起订		100+
￥8.56
1-3周询价 询价
  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF640PBF
库存编号:IRF640PBF		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 11A, 125W, TO220AB2276
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10+
50+
100+
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500+
1000+
2000+
￥25.92
￥19.43
￥14.74
￥13.44
￥12.57
￥11.13
￥10.35
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1-3周购买 购买
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IRF640PBF-BE3
库存编号:IRF640PBF-BE3		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, Idm: 72A, 125W, TO220AB0
1起订		1+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
2000+
￥20.87
￥17.87
￥15.44
￥14.44
￥12.87
￥11.73
￥10.58
￥10.3
1-3周询价 询价
  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF640PBF-BE3 Vishay Intertechnologies  
1600
1起订		1-3周询价 询价
IRF640PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,18A I(D),TO-220AB47
1起订		1+
4+
14+
￥36.03
￥28.82
￥21.62
1-3周购买 购买
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IRF640PBF Vishay Intertechnologies TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,18A I(D),TO-220AB32
1起订		1+
6+
24+
￥19.85
￥15.88
￥11.91
1-3周购买 购买
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF640PBF
库存编号:5410452		 Vishay Intertechnologies MOSFETN200V18ATO220AB, TU900
50起订		50+
250+
500+
1000+
2500+
￥17.89
￥17.71
￥17.54
￥17.37
￥17.2
1-3周购买 购买
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IRF640PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor

IRF640PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.41 x 4.7 x 9.01mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  1300 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  70 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.01mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  18 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  180 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

IRF640PBF相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.41mm  Vishay 长度 10.41mm  MOSFET 晶体管 长度 10.41mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.41mm   尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm  Vishay 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm   典型关断延迟时间 45 ns  Vishay 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 14 ns  Vishay 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Vishay 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 9.01mm  Vishay 高度 9.01mm  MOSFET 晶体管 高度 9.01mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 9.01mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Vishay 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 125 W  Vishay 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 18 A  Vishay 最大连续漏极电流 18 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A   最大漏源电压 200 V  Vishay 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 180 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 180 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 180 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 180 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRF640PBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRF640PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

RoHS: Compliant

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  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRF640PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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IRF640PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRF640PBF)

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IRF640PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF640PBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220

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IRF640PBF
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Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.18Ohm, ID 18A, TO-220AB, PD 125W, VGS +/-20V

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IRF640PBF
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N-Chan 200V 18 Amp

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MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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IRF640PBF
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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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Vishay Siliconix - IRF640PBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB

型号：IRF640PBF
仓库库存编号：IRF640PBF-ND
别名：*IRF640PBF <br>

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IRF640PBF
VISHAY IRF640PBF		8648395

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 180 mohm, 10 V, 4 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRF640PBF - Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF640PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
541-0452
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IRF640PBF|Vishay SiliconixIRF640PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Rohs

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IRF640PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF640PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N沟道
Rohs

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无图IRF640PBF.
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		原厂原装货
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IRF640PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF640PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N沟道
Rohs

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IRF640PBF|VISHAYIRF640PBF
VISHAY		单 N 沟道 200 V 0.18 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220
Rohs

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IRF640PBF|VISHAY SILICONIXIRF640PBF
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
Rohs

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IRF640PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRF640PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N沟道
Rohs

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Siliconix / Vishay - IRF640PBF - N-Chan 200V 18 Amp|70459393 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
N-Chan 200V 18 Amp

型号：IRF640PBF
仓库库存编号：70459393

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Vishay PCS - IRF640PBF - VGS +/-20V PD 125W TO-220AB ID 18A RDS(ON) 0.18Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70078855 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.18Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-20V

型号：IRF640PBF
仓库库存编号：70078855

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Vishay PCS - IRF640PBF - VGS +/-20V PD 125W TO-220AB ID 18A RDS(ON) 0.18Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70078855 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.18Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-20V

型号：IRF640PBF
仓库库存编号：70078855

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QQ:800152669

IRF640PBF产品技术参数资料

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