IRF7105PBF,541-0244,Infineon 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7105PBF, 2.3 A，3.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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Infineon 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7105PBF, 2.3 A，3.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF7105PBF
库存编号：
541-0244
Infineon IRF7105PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRF7105PBF产品详细信息

双 N/P 通道功率 MOSFET，Infineon

Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET? 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。

IRF7105PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns，12 ns  
  典型输入电容值@Vds  290 pF@ 15 V, 330 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 10 V，9.4 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N，P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  2.3 A，3.5 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ，250 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7105PBF产品技术参数资料

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