IRFR110PBF,540-9581,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR110PBF
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
540-9581
Vishay IRFR110PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110TRPBF
库存编号:IRFR110PBFCT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK3003
1起订
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10+
100+
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¥9.25
¥9.22
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IRFR110TRPBF
库存编号:IRFR110PBFDKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK3003
1起订
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10+
100+
500+
1000+
¥9.22
¥9.25
¥9.22
¥6.9
¥6.84
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IRFR110PBF-BE3
库存编号:742-IRFR110PBF-BE3-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK2961
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¥13.46
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IRFR110PBF
库存编号:IRFR110PBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK2886
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IRFR110TRPBF
库存编号:IRFR110PBFTR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK0
2000起订
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4000+
6000+
¥6.36
¥6.28
¥6.36
6-10天询价 询价
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF-BE3
库存编号:78-IRFR110PBF-BE3
Vishay Intertechnologies MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET3721
1起订
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6000+
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IRFR110TRPBF
库存编号:844-IRFR110TRPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp3643
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10+
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100+
250+
500+
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IRFR110PBF
库存编号:844-IRFR110PBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp3429
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IRFR110TRLPBF
库存编号:844-IRFR110TRLPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET1859
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  美国3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF
库存编号:IRFR110PBF
Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk (Alt: IRFR110PBF)11980
1起订
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IRFR110PBF-BE3
库存编号:IRFR110PBF-BE3
Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 100V - Tape and Reel (Alt: IRFR110PBF-BE3)3000
3000起订
3000+
6000+
12000+
18000+
24000+
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¥4.02
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1-2周购买 购买
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IRFR110PBF
库存编号:IRFR110PBF
Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk (Alt: IRFR110PBF)0
3000起订
3000+
6000+
12000+
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24000+
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¥6.33
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1-2周询价 询价
  日本2号仓库+5    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF
库存编号:78970265
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK1595
29起订
29+
3000+
6000+
9000+
24000+
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¥6.66
¥6.53
¥6.43
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  新加坡3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF
库存编号:8649642
Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, D-PAK 100V 4.3A1341
1起订
1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
¥13.44
¥6.11
¥5.99
¥5.87
¥5.75
¥5.75
1-2周购买 购买
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  美国6号仓库+5    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF
库存编号:IRFR110PBF
Vishay IntertechnologiesMOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp2850
75起订
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IRFR110PBF-BE3
库存编号:IRFR110PBF-BE3
Vishay IntertechnologiesMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET1950
75起订
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¥6.49
¥6.3
¥4.59
1-3周购买 购买
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IRFR110TRLPBF
库存编号:IRFR110TRLPBF
Vishay IntertechnologiesMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET0
3000起订
3000+
6000+
9000+
¥4.76
¥4.66
¥4.58
1-3周询价 询价
IRFR110TRPBF
库存编号:IRFR110TRPBF
Vishay IntertechnologiesMOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp0
2000起订
2000+
¥4.56
1-3周询价 询价
  英国7号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF
库存编号:IRFR110PBF
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 2.7A, 25W, DPAK,TO2521059
1起订
1+
10+
75+
150+
300+
375+
525+
1050+
2025+
5025+
¥11.43
¥8.65
¥6.87
¥6.27
¥5.92
¥5.75
¥5.41
¥5.02
¥4.71
¥4.42
1-3周购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF Vishay Siliconix  
40
1起订
1+
6+
27+
¥17.93
¥14.34
¥10.76
1-3周购买 购买
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  英国11号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IRFR110PBF
库存编号:1780901
Vishay Intertechnologies MOSFET N-Channel 100V 4.3A DPAK, TU2765
75起订
75+
375+
¥10.48
¥9.43
1-3周购买 购买
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IRFR110PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor

IRFR110PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  6.9 ns  
  典型输入电容值@Vds  180 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.3 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  4.3 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  540 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFR110PBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 15 ns  Vishay 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 6.9 ns  Vishay 典型接通延迟时间 6.9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.9 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.9 ns   典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Vishay 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Vishay 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2.5 W  Vishay 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 4.3 A  Vishay 最大连续漏极电流 4.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.3 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.3 A   最大漏源电压 100 V  Vishay 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 540 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 540 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 540 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 540 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
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IRFR110TRPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

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IRFR110TRPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

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IRFR110TRPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

RoHS: Compliant

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Bulk (Alt: IRFR110PBF)

RoHS: Not Compliant

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, 100V, 4.3A, D-PAK

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFR110PBF
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Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.54Ohm, ID 4.3A, TO-252AA, PD 25W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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IRFR110PBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

RoHS: Compliant

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFR110PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 25 W

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFR110PBF.
VISHAY IRFR110PBF.
8649642

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFR110PBF - Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9581
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Vishay - IRFR110PBF - MOSFET N, 100 V 4.3 A 25 W DPAK, IRFR110PBF, Vishay
Vishay
MOSFET N, 100 V 4.3 A 25 W DPAK, IRFR110PBF, Vishay


型号:IRFR110PBF
仓库库存编号:171-17-062

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay PCS - IRFR110PBF - VGS +/-20V PD 25W TO-252AA ID 4.3A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078957 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 4.3A; TO-252AA; PD 25W; VGS +/-20V


型号:IRFR110PBF
仓库库存编号:70078957

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Siliconix / Vishay - IRFR110PBF - MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK|70459484 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK


型号:IRFR110PBF
仓库库存编号:70459484

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IRFR110PBF|VISHAYIRFR110PBF
VISHAY
单 N 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Rohs

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IRFR110PBF|Vishay SiliconixIRFR110PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Rohs

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IRFR110PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFR110PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N D-PAK 100V 4.3A
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFR110PBF|VISHAYIRFR110PBF
VISHAY
单 N 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Rohs

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IRFR110PBF|Vishay SiliconixIRFR110PBF
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IRFR110PBF产品技术参数资料

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