IRFS31N20DPBF,539-4990,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRFS31N20DPBF
库存编号：
539-4990
Infineon IRFS31N20DPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFS31N20DPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFS31N20DPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  26 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  2370 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  70 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  3.1 W  
  最大连续漏极电流  31 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  82 mΩ  
  最大栅阈值电压  5.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
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IRFS31N20DPBF产品技术参数资料

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