IRFR9310PBF,535-3270,Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR9310PBF
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
535-3270
Vishay IRFR9310PBF
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IRFR9310PBF产品详细信息

P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor

IRFR9310PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  270 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  50000 mW  
  最大连续漏极电流  1.8 A  
  最大漏源电压  400 V  
  最大漏源电阻值  7 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 25 ns  Vishay 典型关断延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Vishay 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 270 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 270 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 270 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 270 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Vishay 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Vishay 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 50000 mW  Vishay 最大功率耗散 50000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50000 mW  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50000 mW   最大连续漏极电流 1.8 A  Vishay 最大连续漏极电流 1.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A   最大漏源电压 400 V  Vishay 最大漏源电压 400 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V   最大漏源电阻值 7 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 7 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

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MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp

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MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp

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Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Trans MOSFET P-CH 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: IRFR9310PBF)

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MOSFET, P, -400V, -1.8A, D-PAK

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Single P-Channel 400 V 7 Ohm Surface Mount HEXFET Power MOSFET in a D-PAK-3

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MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

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IRFR9310PBF
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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -400V, RDS(ON) 7 Ohms, ID -1.8A, TO-252AA, PD 50W, VGS +/-20V

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MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp

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Vishay Siliconix

1.8 A, 400 V, 7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

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IRFR9310PBF|VISHAYIRFR9310PBF
VISHAY
-400 V 单 P沟道 HEXFET 功率Mosfet 采用D-Pak 封装
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Vishay PCS - IRFR9310PBF - VGS +/-20V PD 50W TO-252AA ID -1.8A RDS(ON) 7Ohms VDSS -400V P-Ch MOSFET, Power|70078967 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -400V; RDS(ON) 7Ohms; ID -1.8A; TO-252AA; PD 50W; VGS +/-20V


型号:IRFR9310PBF
仓库库存编号:70078967

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Vishay PCS - IRFR9310PBF - VGS +/-20V PD 50W TO-252AA ID -1.8A RDS(ON) 7Ohms VDSS -400V P-Ch MOSFET, Power|70078967 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -400V; RDS(ON) 7Ohms; ID -1.8A; TO-252AA; PD 50W; VGS +/-20V


型号:IRFR9310PBF
仓库库存编号:70078967

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Siliconix / Vishay - IRFR9310PBF - MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK|70459491 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK


型号:IRFR9310PBF
仓库库存编号:70459491

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Vishay PCS - IRFR9310PBF - VGS +/-20V PD 50W TO-252AA ID -1.8A RDS(ON) 7Ohms VDSS -400V P-Ch MOSFET, Power|70078967 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -400V; RDS(ON) 7Ohms; ID -1.8A; TO-252AA; PD 50W; VGS +/-20V


型号:IRFR9310PBF
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Vishay - IRFR9310PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFR9310PBF
VISHAY IRFR9310PBF
8649910

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.8 A, -400 V, 7 ohm, -10 V, -4 V

(EN)
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFR9310PBF产品技术参数资料

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