STB55NF06L,486-1922,STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
STB55NF06L
库存编号:
486-1922
STMicroelectronics STB55NF06L
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STB55NF06L产品详细信息

N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STB55NF06L产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 9.35 x 4.6mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  1700 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  27 nC V @ 4.5  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET II  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  95000 mW  
  最大连续漏极电流  55 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.018 Ω  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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