STB55NF06L,486-1922,STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STB55NF06L
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
STB55NF06L
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
486-1922
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB55NF06L产品详细信息
N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STB55NF06L产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 9.35 x 4.6mm
典型关断延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
典型输入电容值@Vds
1700 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs
27 nC V @ 4.5
封装类型
D2PAK
高度
4.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
9.35mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET II
引脚数目
3
最大功率耗散
95000 mW
最大连续漏极电流
55 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
0.018 Ω
最大栅源电压
±16 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
STB55NF06L相关搜索
安装类型 表面贴装
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MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
典型关断延迟时间 40 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 40 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
典型输入电容值@Vds 1700 pF V @ 25
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1700 pF V @ 25
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1700 pF V @ 25
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1700 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs 27 nC V @ 4.5
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 27 nC V @ 4.5
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 27 nC V @ 4.5
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封装类型 D2PAK
STMicroelectronics 封装类型 D2PAK
MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.6mm
STMicroelectronics 高度 4.6mm
MOSFET 晶体管 高度 4.6mm
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晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
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晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 9.35mm
STMicroelectronics 宽度 9.35mm
MOSFET 晶体管 宽度 9.35mm
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类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
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通道模式 增强
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系列 STripFET II
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 95000 mW
STMicroelectronics 最大功率耗散 95000 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 95000 mW
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最大连续漏极电流 55 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A
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最大漏源电压 60 V
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最大漏源电阻值 0.018 Ω
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.018 Ω
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最高工作温度 +175 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 1V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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STB55NF06L产品技术参数资料
STP55NF06L - STP55NF06LFP STB55NF06L - STB55NF06L-1 STripFET II POWER MOSFET Data Sheet
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