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安装类型	通孔
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 4.6 x 9.15mm
典型关断延迟时间	29 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	510 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	18.8 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	9.15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh, SuperMESH
引脚数目	3
最大功率耗散	70000 mW
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	2 Ω
最大栅阈值电压	4.5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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