STD35NF3LL,485-7333,STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD35NF3LL, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 D-PAK封装 ,STMicroelectronics
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STD35NF3LL
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD35NF3LL, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 D-PAK封装
制造商零件编号:
STD35NF3LL
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
485-7333
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD35NF3LL产品详细信息
N 通道 STripFET? F3,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STD35NF3LL产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.6mm
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
17 ns
典型输入电容值@Vds
800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
12.5 nC @ 5 V
封装类型
D-PAK
高度
2.4mm
宽度
6.2mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET F3
引脚数目
3
最大功率耗散
50 W
最大连续漏极电流
35 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
19.5 mΩ
最大栅源电压
±16 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
STD35NF3LL相关搜索
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.6mm
STMicroelectronics 长度 6.6mm
MOSFET 晶体管 长度 6.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.6mm
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间 20 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 17 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 17 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V
封装类型 D-PAK
STMicroelectronics 封装类型 D-PAK
MOSFET 晶体管 封装类型 D-PAK
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 D-PAK
高度 2.4mm
STMicroelectronics 高度 2.4mm
MOSFET 晶体管 高度 2.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 2.4mm
宽度 6.2mm
STMicroelectronics 宽度 6.2mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
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系列 STripFET F3
STMicroelectronics 系列 STripFET F3
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STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET F3
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
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最大功率耗散 50 W
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MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W
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最大连续漏极电流 35 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A
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最大漏源电压 30 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
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最大漏源电阻值 19.5 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 19.5 mΩ
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最大栅源电压 ±16 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V
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最低工作温度 -55 °C
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MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 1V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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STD35NF3LL产品技术参数资料
STD35NF3LL STD35NF3LL-1 STripFET II POWER MOSFET Data Sheet
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