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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1mm
典型输入电容值@Vds	25 pF@ 10 V
封装类型	TO-236AB
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	830 mW
最大连续漏极电流	300 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	5 Ω
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• PMBF170 N-channel enhancement mode field-effect transistor Data Sheet