BSH205,215,484-2555,NXP P沟道 MOSFET 晶体管 BSH205,215, 750 mA, Vds=12 V, 3引脚 TO-236AB封装 ,NXP
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NXP P沟道 MOSFET 晶体管 BSH205,215, 750 mA, Vds=12 V, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号：
BSH205,215
制造商：
NXP NXP
库存编号：
484-2555
NXP BSH205,215
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSH205,215产品详细信息

P 通道 MOSFET，Nexperia

BSH205,215产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.4 x 1mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  2 ns  
  典型输入电容值@Vds  200 pF @ 9.6 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.8 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1mm  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  417 mW  
  最大连续漏极电流  750 mA  
  最大漏源电压  12 V  
  最大漏源电阻值  400 mΩ  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
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BSH205,215产品技术参数资料

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