SPD08P06P,462-3247,Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
SPD08P06P
库存编号：
462-3247
Infineon SPD08P06P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SPD08P06P产品详细信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

SPD08P06P产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 6.22 x 2.3mm  
  典型关断延迟时间  48 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  335 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  42 W  
  最大连续漏极电流  8.8 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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SPD08P06P配套附件

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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  Infineon 长度 6.5mm  MOSFET 晶体管 长度 6.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm  Infineon 尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm   典型关断延迟时间 48 ns  Infineon 典型关断延迟时间 48 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 48 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 48 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 335 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 335 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 335 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 335 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Infineon 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.3mm  Infineon 高度 2.3mm  MOSFET 晶体管 高度 2.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.3mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 42 W  Infineon 最大功率耗散 42 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 42 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 42 W   最大连续漏极电流 8.8 A  Infineon 最大连续漏极电流 8.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.8 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.8 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 300 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 300 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPD08P06P产品技术参数资料

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