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安装类型	表面贴装
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 3.5 x 1.6mm
典型关断延迟时间	27 ns
典型接通延迟时间	5.4 ns
典型输入电容值@Vds	295 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	14 nC @ 10 V
封装类型	SOT-223
高度	1.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.5mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SIPMOS
引脚数目	3+Tab
最大功率耗散	1.8 W
最大连续漏极电流	1.8 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	300 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.8V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  Infineon 长度 6.5mm  MOSFET 晶体管 长度 6.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm  Infineon 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm   典型关断延迟时间 27 ns  Infineon 典型关断延迟时间 27 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns   典型接通延迟时间 5.4 ns  Infineon 典型接通延迟时间 5.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.4 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.4 ns   典型输入电容值@Vds 295 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 295 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 295 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 295 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  Infineon 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.6mm  Infineon 高度 1.6mm  MOSFET 晶体管 高度 1.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.6mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.5mm  Infineon 宽度 3.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 3.5mm   类别 小信号  Infineon 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Infineon MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3+Tab  Infineon 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 1.8 W  Infineon 最大功率耗散 1.8 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W   最大连续漏极电流 1.8 A  Infineon 最大连续漏极电流 1.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 300 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 300 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ   最大栅阈值电压 2V  Infineon 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.8V  Infineon 最小栅阈值电压 0.8V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V  

• BSP 295 SIPMOS ? Small-Signal Transistor Data Sheet