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安装类型	通孔
长度	15.9mm
尺寸	15.9 x 5.3 x 20.95mm
典型关断延迟时间	150 ns
典型接通延迟时间	130 ns
典型输入电容值@Vds	1460 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	41.5 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	20.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	CoolMOS S5
引脚数目	3
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	11 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	380 mΩ
最大栅阈值电压	5.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3.5V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.9mm  Infineon 长度 15.9mm  MOSFET 晶体管 长度 15.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 15.9mm   尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm  Infineon 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm   典型关断延迟时间 150 ns  Infineon 典型关断延迟时间 150 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 150 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 150 ns   典型接通延迟时间 130 ns  Infineon 典型接通延迟时间 130 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 130 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 130 ns   典型输入电容值@Vds 1460 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1460 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1460 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1460 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.95mm  Infineon 高度 20.95mm  MOSFET 晶体管 高度 20.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 20.95mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.3mm  Infineon 宽度 5.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.3mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS S5  Infineon 系列 CoolMOS S5  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS S5  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS S5   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 11 A  Infineon 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 600 V  Infineon 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 380 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 380 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 380 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 380 mΩ   最大栅阈值电压 5.5V  Infineon 最大栅阈值电压 5.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3.5V  Infineon 最小栅阈值电压 3.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.5V  

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