SPP20N60S5,354-6391,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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SPP20N60S5
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
SPP20N60S5
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
354-6391
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SPP20N60S5产品详细信息
Infineon CoolMOS?S5 功率 MOSFET 系列
SPP20N60S5产品技术参数
安装类型
通孔
长度
8.64mm
尺寸
8.64 x 10.26 x 4.4mm
典型关断延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
120 ns
典型输入电容值@Vds
3000 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
79 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
4.4mm
晶体管配置
单
宽度
10.26mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
208 W
最大连续漏极电流
20 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
190 mΩ
最大栅阈值电压
5.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
3.5V
关键词
SPP20N60S5关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号:
823999
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
762-2124
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安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 8.64mm
Infineon 长度 8.64mm
MOSFET 晶体管 长度 8.64mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 8.64mm
尺寸 8.64 x 10.26 x 4.4mm
Infineon 尺寸 8.64 x 10.26 x 4.4mm
MOSFET 晶体管 尺寸 8.64 x 10.26 x 4.4mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 8.64 x 10.26 x 4.4mm
典型关断延迟时间 140 ns
Infineon 典型关断延迟时间 140 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 120 ns
Infineon 典型接通延迟时间 120 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns
典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 79 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 79 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 79 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 79 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
Infineon 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 4.4mm
Infineon 高度 4.4mm
MOSFET 晶体管 高度 4.4mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.4mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 10.26mm
Infineon 宽度 10.26mm
MOSFET 晶体管 宽度 10.26mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 10.26mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 208 W
Infineon 最大功率耗散 208 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 208 W
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 208 W
最大连续漏极电流 20 A
Infineon 最大连续漏极电流 20 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A
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最大漏源电压 600 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
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最大漏源电阻值 190 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 190 mΩ
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最大栅阈值电压 5.5V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 3.5V
Infineon 最小栅阈值电压 3.5V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.5V
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SPP20N60S5产品技术参数资料
SPP20N60S5, CoolMOS Power Transistor
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