RFD14N05L,325-7580,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号：
RFD14N05L
库存编号：
325-7580
Fairchild Semiconductor RFD14N05L
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RFD14N05L产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

RFD14N05L产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.8mm  
  尺寸  6.8 x 2.5 x 6.3mm  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  670 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 5 V，40 nC @ 10 V  
  封装类型  IPAK  
  高度  6.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  48 W  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  50 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ  
  最大栅源电压  ±10 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

RFD14N05L产品技术参数资料

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