2SK2610,247-8988,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2610, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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2SK2610
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2610, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
2SK2610
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
247-8988
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SK2610产品详细信息
MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba
2SK2610产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.9mm
尺寸
15.9 x 4.8 x 19mm
典型输入电容值@Vds
1200 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
45 nC @ 10 V
封装类型
TO-3PN
高度
19mm
宽度
4.8mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
150 W
最大连续漏极电流
5 A
最大漏源电压
900 V
最大漏源电阻值
2.5 Ω
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
2SK2610相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.9mm
Toshiba 长度 15.9mm
MOSFET 晶体管 长度 15.9mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 15.9mm
尺寸 15.9 x 4.8 x 19mm
Toshiba 尺寸 15.9 x 4.8 x 19mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 4.8 x 19mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 4.8 x 19mm
典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
封装类型 TO-3PN
Toshiba 封装类型 TO-3PN
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN
高度 19mm
Toshiba 高度 19mm
MOSFET 晶体管 高度 19mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 19mm
宽度 4.8mm
Toshiba 宽度 4.8mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.8mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.8mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 150 W
Toshiba 最大功率耗散 150 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W
最大连续漏极电流 5 A
Toshiba 最大连续漏极电流 5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 900 V
Toshiba 最大漏源电压 900 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V
Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 900 V
最大漏源电阻值 2.5 Ω
Toshiba 最大漏源电阻值 2.5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.5 Ω
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最大栅源电压 ±30 V
Toshiba 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
Toshiba 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Toshiba MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
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800152669
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m.szcwdz.com
2SK2610产品技术参数资料
2SK2610 N Channel MOS FET Data Sheet
TRANSISTOR MOS CANAL N
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