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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.7mm
典型输入电容值@Vds	250 pF@ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	10 nC @ 10 V
封装类型	SC-73
高度	1.7mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	1.65 W
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	250 mΩ
最大栅阈值电压	2.8V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• BSP250, P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS Transistor